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  • 型号: BSP149 L6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP149 L6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP149 L6327价格参考。InfineonBSP149 L6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSP149 L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP149 L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Depletion

描述

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223MOSFET N-CH 200V 0.66A SMALL SIGNAL

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

耗尽模式

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

660 mA

Id-连续漏极电流

660 mA

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://de.sitestat.com/infineon/infineon/s?infineon._dgdl_BSP149_Rev1.2.pdf&ns_type=pdf&ns_url=http://www.infineon.com/dgdl/BSP149_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ef8fa4acf

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP149 L6327SIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSP149_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ef8fa4acf

产品型号

BSP149 L6327

Pd-PowerDissipation

1800 mW

Pd-功率耗散

1.8 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1800 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1800 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3.4 ns

下降时间

3.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 400µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

430pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 欧姆 @ 660mA,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-SOT223-4

其它名称

BSP149L6327INDKR

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

1.8W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

660mA (Ta)

系列

BSP149

通道模式

Depletion

配置

Single Dual Drain

零件号别名

BSP149L6327HTSA1

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